| 摘要 |
【課題】圧延処理を施すことなく相対密度の向上を図ることができるＭｏ−Ｗターゲット及びその製造方法を提供する。【解決手段】モリブデン粉末を１１００℃以上１３００℃以下の温度で脱酸素処理し、脱酸素処理した上記モリブデン粉末にタングステン粉末を混合し、上記モリブデン粉末と上記タングステン粉末との混合粉末を所定温度で加圧焼結する。これにより焼結時の空孔（ポア）の発生が抑制され、焼結体の高密度化が促進される。したがって上記製造方法によれば、圧延処理を施すことなく焼結体の高密度化を図ることができるので、スパッタ成膜時における膜厚の均一化を実現することができる。【選択図】図１ |
