| 摘要 |
<p>不揮発性記憶素子（１０）は、基板（１００）上に形成された下部電極（１０５）と、下部電極（１０５）上に形成され、第１の金属酸化物で構成される第１の抵抗変化層（１０６ａ）と、第１の抵抗変化層（１０６ａ）上に形成され、酸素不足度が第１の金属酸化物の酸素不足度より低い第２の金属酸化物で構成される第２の抵抗変化層（１０６ｂ）と、第２の抵抗変化層（１０６ｂ）上に形成された上部電極（１０７）とを備え、第１の抵抗変化層（１０６ａ）と第２の抵抗変化層（１０６ｂ）との界面には一段の段差（１０６ａｚ）があり、第２の抵抗変化層（１０６ｂ）は、段差（１０６ａｚ）を被覆して形成され、かつ段差（１０６ａｚ）の上方に段差（１０６ａｚ）を被覆する屈曲部（１０６ｂｚ）を有し、上方から見た屈曲部（１０６ｂｚ）の角部は、第２の抵抗変化層（１０６ｂ）の表面においてただ１つである。</p> |
