发明名称 |
半導体素子および管状熱電モジュールを生産する方法 |
摘要 |
本発明は、熱電モジュール10に用いる半導体素子1に関する。半導体素子1は、互いに反対側にある端部3を有して、nドープトまたはpドープト半導体材料4および少なくとも1つの異物5でできている。異物5は、半導体材料4と混合されて、半導体素子1の25〜75容量%の割合を形成する。本発明は、少なくとも以下のステップを含む管状熱電モジュール10を生産する方法にさらに関する。a)軸線17、内周面18および第1の外周面19を有するインナーチューブ16を提供するステップ。b)軸線17の方向にnドープトおよびpドープト半導体素子1を交互に配置するステップ。c)相互に隣接して配置される半導体素子1のペアが外側において電気的に導通する様式で互いに接続されるように、半導体素子1の半径方向外側上に第2の電気導体要素30を配置するステップであって、ステップc)の後、第2の外周面23は、形成される、ステップ。d)熱電モジュール10をかためるステップ。【選択図】図6 |
申请公布号 |
JP2015510687(A) |
申请公布日期 |
2015.04.09 |
申请号 |
JP20140552571 |
申请日期 |
2013.01.17 |
申请人 |
エミテック ゲゼルシヤフト フユア エミツシオンステクノロギー ミツト ベシユレンクテル ハフツング |
发明人 |
リンベック ジーグリッド;ブリュック ロルフ |
分类号 |
H01L35/26;F01N5/02;H01L35/14;H01L35/16;H01L35/18;H02N11/00 |
主分类号 |
H01L35/26 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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