| 发明名称 | 电性互连结构及电性互连方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI480997 | 申请公布日期 | 2015.04.11 |
| 申请号 | TW101114479 | 申请日期 | 2012.04.24 |
| 申请人 | 矽品精密工业股份有限公司 | 发明人 | 宋泽世;江文荣;李信宏 |
| 分类号 | H01L23/52;H01L21/60 | 主分类号 | H01L23/52 |
| 代理机构 | 代理人 | 陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 | |
| 主权项 | 一种电性互连结构，系设于三维晶片组中，该电性互连结构包括：信号路径构形，包含具有相对两端之第一导电矽穿孔、及连接该第一导电矽穿孔两端之信号线路；以及接地路径构形，包含具有相对两端之第二导电矽穿孔、及连接该第二导电矽穿孔两端之接地层，该接地层系沿该信号线路之整个路径包围该信号线路，使该第一导电矽穿孔之端面周围布满该接地层，且该接地层与该第一导电矽穿孔端面之间形成一间距。 | ||
| 地址 | 台中市潭子区大丰路3段123号 | ||