Passivierung und Facettierung für FIN-Feldeffekttransistor

摘要

Es ist ein Fin-Feldeffekttransistor (FinFET) und ein Verfahren zum Ausbilden desselben vorgesehen. Der FinFET weist einen Grat auf, der eine oder mehrere Halbleiterschichten aufweist, die epitaktisch auf einem Substrat aufgezogen werden. Eine erste Passivierungsschicht wird über den Graten ausgebildet und Isolierbereiche werden zwischen den Graten ausgebildet. Ein oberer Abschnitt der Grate wird umgebildet und eine zweite Passivierungsschicht wird über dem umgebildeten Abschnitt ausgebildet. Dann kann eine Gatestruktur über den Graten ausgebildet werden und Source/Drain-Bereiche können ausgebildet werden.