太阳能电池及其制作方法

主权项

一种太阳能电池，包括：一半导体基底，具有一第一表面与一第二表面，其中该半导体基底具有一第一掺杂类型，该第二表面具有一第一区与一第二区；一掺杂层，位于该半导体基底之该第一表面，其具有该第一掺杂类型；一掺杂多晶矽层，设置于该半导体基底之该第二表面的该第一区上，且暴露出该半导体基底之该第二表面的该第二区；一掺杂区，设置于该半导体基底之该第二表面的该第二区中，其中该掺杂多晶矽层与该掺杂区其中一者具有一第二掺杂类型，而该掺杂多晶矽层与该掺杂区其中另一者具有该第一掺杂类型，且该第二掺杂类型相反于该第一掺杂类型；一绝缘层覆盖该掺杂多晶矽层与该掺杂区表面，并具有至少一第一开口暴露出部分该掺杂多晶矽层与至少一第二开口暴露出部分该掺杂区，该绝缘层包括一第一绝缘层与一第二绝缘层，且该第一绝缘层与该第二绝缘层所包含之材料不相同；至少一第一电极，设置于该绝缘层表面，并经由该第一开口连接于该掺杂多晶矽层；以及至少一第二电极，设置于该绝缘层表面，并经由该第二开口连接于该掺杂区。