| 摘要 |
<p>본 발명은 패터닝된 사파이어기판을 에칭하기 위한 가스초핑 프로세스에 관한 것으로서, 공정챔버내에 구비된 사파이어기판층, 산화물박막층, PR(Photo Resist)층으로 된 이종접합구조의 패터닝된 사파이어 기판(PSS)에 에칭가스와 부동태화 증착가스를 수초간격으로 번갈아가면서 유입시켜 에칭공정과 부동태화 증착공정을 수행하는 PSS 에칭단계; 및 상기 PSS 에칭단계에 의해 사파이어 기판층이 일정깊이까지 에칭된 이후에는 사파이어 기판표면에 이중요철 구조패턴을 만들기 위해, 부동태화 증착 물질을 제거한 다음 에칭가스에 비반응성 가스인 HBr 또는 아르곤(Ar)을 첨가하면서 연속적으로 에칭처리하여, 상기 PR층의 상부부분을 식각하고, 상기 PR층의 측벽과 상기 산화물박막층의 측벽 및 상기 사파이어기판층의 측벽이 경사면을 형성하도록 하는 PR제거 및 형태형성단계;를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하며, 에칭가스로 CF가 아닌 염소계열가스에 비반응성 가스를 첨가한 에칭가스의 선택적 이용을 통해 PSS 표면을 등방 에칭하여 PSS 표면에 렌즈형태 또는 이중 요철구조패턴의 형태를 가공함으로써 광 추출효율을 증가시켜 LED의 외부 양자효율을 향상시키는 효과가 있다.</p> |
