| 摘要 |
<p>본 발명은 버텀 게이트 구조의 박막 트랜지스터에서 결정화 공정을 실시할 수 있게 됨에 따라 박막 트랜지스터의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 박막 트랜지스터의 제조방법 및 박막 트랜지스터를 포함하는 표시장치의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 제조방법은 기판 위에 게이트 전극을 형성하는 단계와; 상기 기판 위에 상기 게이트 전극을 노출시키는 적어도 두 개의 제1 홀을 갖는 게이트 절연막을 형성함과 아울러 상기 게이트 절연막 위에 위치하는 반도체 패턴을 형성하는 단계와; 상기 반도체 패턴 위에 형성됨과 아울러 상기 제1 홀을 통해 상기 게이트 전극과 접촉되는 도전층을 형성하는 단계와; 상기 도전층에 전계를 인가하여 상기 반도체 패턴을 결정화시키는 단계와; 상기 도전층을 패터닝하여 상기 반도체 패턴과 접촉되는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함한다.</p> |
