发明名称 形成磊晶层的方法
摘要
申请公布号 TWI493618 申请公布日期 2015.07.21
申请号 TW097126513 申请日期 2008.07.11
申请人 周星工程股份有限公司 发明人 杨澈勋
分类号 H01L21/3063;H01L21/3065;H01L21/205 主分类号 H01L21/3063
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种于一矽基板上形成一磊晶层的方法,其包含:提供一矽基板;于该矽基板上执行一湿式清洗制程;在执行该湿式清洗制程之后,藉由提供一六氟化硫气体以及一氩气与一氢气中之一者以于该矽基板上执行一第一电浆清洗制程;在执行该第一电浆清洗制程之后,藉由提供一氯气与一氩气以于该经湿式清洁之矽基板上执行一第二电浆清洗制程;以及在执行该第二电浆清洗制程之后于该矽基板上形成一磊晶成长薄膜。
地址 南韩