发明名称 氧化物半导体薄膜之评估装置
摘要 提供非接触型,可以正确并且在相同装置简单测量氧化物半导体薄膜之移动度和应力耐性,并进行预测、推测的评估装置。本发明之评估装置具备:对试料之测量部位,照射第1激发光而生成电子-电洞对的第1激发光照射手段;照射电磁波之电磁波照射手段;检测出反射电磁波强度的反射电磁波强度检测手段;对上述试料照射第2激发光而生成光致发光之第2激发光照射手段;测量上述光致发光之发光强度的发光强度测量手段;及评估移动度及应力耐性之评估手段,并且上述第1激发光照射手段和上述第2激发照射手段为相同或不同之激发光照射手段。
申请公布号 TW201530126 申请公布日期 2015.08.01
申请号 TW103131582 申请日期 2014.09.12
申请人 神户制钢所股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.) 发明人 林和志 HAYASHI, KAZUSHI;岸智 KISHI, TOMOYA
分类号 G01N22/00(2006.01);G01N21/63(2006.01) 主分类号 G01N22/00(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本 JP