| 发明名称 |
PROCEDE DE TRAITEMENT D’UN ELEMENT COMPRENANT AU MOINS UN PREMIER SUPPORT DONT UNE FACE EST AU MOINS PARTIELLEMENT RECOUVERTE D’UNE COUCHE D’OXYDES D’INDIUM ET D’ETAIN (ITO) |
| 摘要 |
<p>La présente invention concerne un procédé de traitement d'un élément du type comprenant au moins un premier support présentant une face fonctionnelle au moins partiellement recouverte d'une couche d'oxyde d'indium et d'étain (ITO). Selon l'invention, de manière caractéristique, on met en contact ladite face fonctionnelle avec une solution acide de manière à dissoudre ladite couche d'ITO dans ladite solution acide.</p> |
| 申请公布号 |
FR3017883(A1) |
申请公布日期 |
2015.08.28 |
| 申请号 |
FR20140051572 |
申请日期 |
2014.02.27 |
| 申请人 |
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) |
发明人 |
MASCHKE ULRICH;MOUNDOUNGOU IDRISS;FOSSI TABIEGUIA GUY JOEL;APPLETON PHILIPPE |
| 分类号 |
C22B7/00;B09B3/00;C22B25/00;C22B58/00;G02F1/13 |
主分类号 |
C22B7/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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