一种新型Wafer Bonding设备

摘要

本实用新型一种新型Wafer Bonding设备，属于晶元焊接设备领域；解决现有Wafer Bonding工艺技术中存在的生产效率低，设备故障率高，石墨配件损坏块，石墨材料消耗量大等问题；包括真空腔体，真空腔体内上、下壁上分别设置有上压力控制系统和下压力控制系统，上压力控制系统与真空腔体的前壁通过可伸缩连接轴活动连接，可伸缩连接轴驱动上压力控制系统上升和下降，真空腔体的外侧壁上依次设置有上微波发生器和下微波发生器，上、下微波发生器分别照射对应的上、下加热器，真空腔体的内侧壁上依次设置有上温度侦测器和下温度侦测器，上、下温度侦测器实时监控上、下加热器温度并与上、下微波发生器连接形成反馈调节系统。

主权项

一种新型 Wafer Bonding设备，其特征在于：包括真空腔体（1），真空腔体（1）内部设置有真空发生器（12），所述真空腔体（1）内上、下壁上分别设置有上压力控制系统和下压力控制系统，所述上压力控制系统与真空腔体（1）的前壁通过可伸缩连接轴（17）活动连接，可伸缩连接轴（17）驱动上压力控制系统上升和下降，上压力控制系统由依次设置的上压力缸（2）、上隔热层（3）和上加热器（4）组成，下压力控制系统由下压力缸（9）、下隔热层（8）和下加热器（7）组成；所述真空腔体（1）的外侧壁上依次设置有上微波发生器（5）和下微波发生器（6），上、下微波发生器（5、6）通过导波管与真空腔体（1）连接将微波辐射导入真空腔体（1），上、下微波发生器（5、6）分别照射对应的上、下加热器（4、7），真空腔体（1）的内侧壁上依次设置有上温度侦测器（10）和下温度侦测器（11），上、下温度侦测器（10、11）实时监控上、下加热器（4、7）温度并与上、下微波发生器（5、6）连接形成反馈调节系统。