| 发明名称 |
3 Three Dimensional Semiconductor Memory Device And Method Of Fabricating The Same |
| 摘要 |
3차원 반도체 장치 및 그 제조 방법을 제공한다. 이 장치는 갭 영역들을 제공하는 주형 구조체 및 갭 영역들 내에 배치되는 복수의 배선 패턴들을 포함할 수 있다. 주형 구조체는 배선 배턴들의 상부면 및 하부면을 정의하는 층간 주형들 및 층간 주형들 아래에서 배선 패턴들의 일 측벽들을 정의하는 측벽 주형들을 포함할 수 있다. |
| 申请公布号 |
KR101549690(B1) |
申请公布日期 |
2015.09.14 |
| 申请号 |
KR20090126854 |
申请日期 |
2009.12.18 |
| 申请人 |
삼성전자주식회사 |
发明人 |
심재주;김한수;조원석;장재훈;조우진 |
| 分类号 |
H01L21/027;H01L21/28;H01L21/822 |
主分类号 |
H01L21/027 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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