| 发明名称 | 半导体制造装置用离子注入器的反射极 | ||
| 摘要 | 1．本外观设计产品的名称：半导体制造装置用离子注入器的反射极。2．本外观设计产品的用途：本产品作为构成半导体制造用离子注入器的离子源的部件，从用于生成离子的等离子体的内部将电子排出。3．本外观设计的设计要点：产品的形状。4．最能表明设计要点的图片或者照片：立体图2。 | ||
| 申请公布号 | CN303377968S | 申请公布日期 | 2015.09.16 |
| 申请号 | CN201530123998.X | 申请日期 | 2015.04.30 |
| 申请人 | 维恩希有限公司 | 发明人 | 黄圭泰 |
| 分类号 | 15-99(10) | 主分类号 | 15-99(10) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 李辉;黄纶伟 |
| 主权项 | |||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||