用于低编程电流的热屏蔽电阻存储器元件

摘要

本文中所描述的各种实施例提供一种包括可变电阻材料(210)的存储器装置，其具有布置于所述可变电阻材料与电极(220或230)之间的热隔离及导电隔离区域(270、280)以允许通过编程电流高效地加热所述可变电阻材料。电及热隔离区域(260)可布置于所述可变电阻材料周围。

主权项

一种存储器装置，其包含：底部电极；底部导电热隔离区域，其布置于所述底部电极上面，所述底部导电热隔离区域包含GeN，Ta₂O₅，ITO，MgO和BN中的至少一者；相变材料，其布置于所述底部导电热隔离区域上面；环绕隔离区域，其环绕所述相变材料，所述环绕隔离区域包含热绝缘及电绝缘材料，其中所述底部导电热隔离区域的顶部表面与所述环绕隔离区域的底部表面接触；顶部导电热隔离区域，其布置于所述相变材料上面，所述顶部导电热隔离区域包含GeN，Ta₂O₅，ITO，MgO和BN中的至少一者，其中所述顶部导电热隔离区域的底部表面与所述环绕隔离区域的顶部表面接触；顶部电极，其布置于所述顶部导电热隔离区域上面；及加热材料，其布置于所述底部导电热隔离区域上面、所述相变材料下面和所述环绕隔离区域内。