| 发明名称 | 半导体结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括第一掺杂区与半导体区；第一掺杂区具有第一导电型；半导体区位于第一掺杂区中；源极电极与漏极电极被分别电性连接至第一掺杂区位于半导体区的相对侧边上的部分。 | ||
| 申请公布号 | CN103066109B | 申请公布日期 | 2015.09.30 |
| 申请号 | CN201110316302.6 | 申请日期 | 2011.10.18 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 陈立凡;陈永初 |
| 分类号 | H01L29/36(2006.01)I;H01L29/808(2006.01)I;H01L21/337(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 宋焰琴 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：一第一掺杂区，具有一第一导电型；一半导体区，位于该第一掺杂区中，一源极电极与一漏极电极被分别电性连接至该第一掺杂区位于该半导体区的相对侧边上的部分；以及一栅极电极，被电性连接至该半导体区；其中，该第一掺杂区包括一掺杂埋藏区，该掺杂埋藏区具有一轻杂质浓度区与多个重杂质浓度区，该轻杂质浓度区在该多个重杂质浓度区之间且该轻杂质浓度区与重杂质浓度区相邻，该轻杂质浓度区与该多个重杂质浓度区具有该第一导电型。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||