一种改善光刻胶形貌的方法

摘要

本发明涉及一种改善光刻胶形貌的方法，包括以下步骤：选取一次已知参考曝光的曝光参数，并根据该曝光参数进行多次曝光工艺；在进行每次曝光工艺时，保证每次曝光能量和焦距与参考曝光的能量和焦距满足一定关系，采用以上技术方案可极大改善曝光显影后光刻胶的形貌，提高曝光的工艺水平，同时本发明尤其适用于超大高宽比图形的制备工艺中，进而制备出性能更好的半导体器件。

主权项

一种改善光刻胶形貌的方法，应用于光刻工艺中，其特征在于，包括以下步骤：选取一次已知参考曝光的曝光参数，所述曝光参数包括曝光能量及曝光焦距；进行多次曝光工艺，在进行每次所述曝光工艺时，根据所述曝光参数来控制进行多次曝光中每次曝光的能量和焦距；进行多次曝光工艺时，每次曝光时采用的能量需满足以下条件：E＝E1+E2+E3+...+En；其中，E为所述参考曝光的能量，E1为第一次曝光的能量，E2为第二次曝光的能量，E3为第三次曝光的能量...En为第n次曝光的能量，n为曝光次数，即进行多次曝光工艺时，每次曝光能量相加的总和等于参考曝光的曝光能量；E1∶E2∶E3∶...∶En的比值根据工艺需求而设定，进行多次曝光工艺时，每次曝光的曝光能量逐渐递减；进行多次曝光工艺时，每次曝光时采用的焦距需满足以下条件：F＝(F1+F2+F3+...+Fn)/n；其中，F为所述参考曝光的焦距，F1为第一次曝光的焦距，F2为第二次曝光时的焦距，F3为第三次曝光时的焦距，Fn为第n次曝光的曝光率；n为曝光次数，即进行多次曝光的曝光焦距总和除以曝光次数等于参考曝光所采用的焦距，每次曝光工艺的焦距逐渐增大。