单边存取装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种单边存取装置，包含：包含有一源极区域以及一漏极区域的主动鳍式结构；介于源极区域以及漏极区域之间的绝缘层；设置在主动鳍式结构一侧的沟渠绝缘结构；设置在主动鳍式结构相对于沟渠绝缘结构另一侧的单边侧壁栅电极，使主动鳍式结构夹置在沟渠绝缘结构以及单边侧壁栅电极之间；以及自单边侧壁栅电极横向且电性延伸并嵌入在源极区域以及漏极区域之间的绝缘层下方的栅极突出部。

主权项

一种单边存取装置，其特征在于，包含：一基底的一主动鳍式结构，所述主动鳍式结构具有一源极区域以及一漏极区域且沿着与所述基底的顶面平行的一第一方向延伸；一绝缘层，介于所述源极区域以及所述漏极区域之间并嵌入于所述主动鳍式结构中；一沟渠绝缘结构，设置于所述主动鳍式结构的一侧；一单边侧壁栅电极，设置于所述主动鳍式结构相对于所述沟渠绝缘结构的另一侧并沿着所述第一方向延伸，使所述主动鳍式结构夹置于所述沟渠绝缘结构以及所述单边侧壁栅电极之间；以及一栅极突出部，自所述单边侧壁栅电极横向且电性延伸并嵌入于所述源极区域以及所述漏极区域之间的所述绝缘层下方，其中所述栅极突出部延伸穿过所述主动鳍式结构的整个厚度而与所述沟渠绝缘结构直接接触。