发明名称 |
外延结构的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种外延结构的制备方法,其包括以下步骤:提供一基底,该基底具有一外延生长面;在该基底的外延生长面设置一碳纳米管膜,该碳纳米管膜与所述基底的外延生长面接触,该碳纳米管膜具有多个间隙,使得部分所述外延生长面通过所述多个间隙暴露;在该基底的外延生长面沉积一掩模预制体层覆盖所述碳纳米管膜,该掩模预制体层的厚度小于该碳纳米管膜的厚度,且所述掩模预制体层部分沉积于所述碳纳米管膜的表面,部分沉积在所述暴露的部分外延生长面;去除所述碳纳米管膜得到一图案化掩模,该图案化掩模具有多个开口从而使得该外延生长面通过该多个开口部分暴露;以及在所述基底的外延生长面生长一外延层。 |
申请公布号 |
CN104952984A |
申请公布日期 |
2015.09.30 |
申请号 |
CN201410118380.9 |
申请日期 |
2014.03.27 |
申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
魏洋;范守善 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;H01L33/02(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种外延结构的制备方法,其包括以下步骤:提供一基底,该基底具有一外延生长面;在该基底的外延生长面设置一碳纳米管膜,该碳纳米管膜与所述基底的外延生长面接触,该碳纳米管膜具有多个间隙,使得部分所述外延生长面通过所述多个间隙暴露;在该基底的外延生长面沉积一掩模预制体层覆盖所述碳纳米管膜,该掩模预制体层的厚度小于该碳纳米管膜的厚度,且所述掩模预制体层部分沉积于所述碳纳米管膜的表面,部分沉积在所述暴露的部分外延生长面;去除所述碳纳米管膜得到一图案化掩模,该图案化掩模具有多个开口从而使得该外延生长面通过该多个开口部分暴露;以及在所述基底的外延生长面生长一外延层。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |