| 发明名称 | MEMS压力传感器及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种MEMS压力传感器及其制作方法，所述MEMS压力传感器形成在衬底结构上，其中，所述MEMS压力传感器至少包括：氧化物层、下极板、上极板和抑制桩；所述下极板位于所述氧化物层内，所述上极板位于所述氧化物层的上表面，且所述上极板与所述氧化物层之间设有空腔，所述空腔位于所述下极板的上方处；所述抑制桩位于所述空腔内，且所述抑制桩连接所述上极板和所述氧化物层，所述抑制桩适于抑制所述上极板的拱起，以缩短所述上极板拱起的最高位置和所述下极板之间的距离。本发明通过在上、下极板之间增加抑制桩，缩短了上极板拱起的最高位置与下极板之间的距离，提高了MEMS压力传感器的感应效率和敏感性。 | ||
| 申请公布号 | CN104949776A | 申请公布日期 | 2015.09.30 |
| 申请号 | CN201410117606.3 | 申请日期 | 2014.03.27 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 郑超;许继辉;于佳 |
| 分类号 | G01L1/14(2006.01)I;G01L9/12(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I | 主分类号 | G01L1/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 李仪萍 |
| 主权项 | 一种MEMS压力传感器，所述MEMS压力传感器形成在衬底结构上，其特征在于，所述MEMS压力传感器至少包括：氧化物层、下极板、上极板和抑制桩；所述下极板位于所述氧化物层内，所述上极板位于所述氧化物层的上表面，且所述上极板与所述氧化物层之间设有空腔，所述空腔位于所述下极板的上方处；所述抑制桩位于所述空腔内，且所述抑制桩连接所述上极板和所述氧化物层，所述抑制桩适于抑制所述上极板的拱起，以缩短所述上极板拱起的最高位置和所述下极板之间的距离。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区（亦庄）文昌大道18号 | ||