发明名称 RESIST UNDERLAYERCOMPOSITION AND METHOD OF FORMING PATTERNS USING THE RESIST UNDERLAYERCOMPOSITION
摘要 <p>하기 화학식 1로 표현되는 중합체 및 용매를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물 및 상기 레지스트 하층막용 조성물을 사용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다. [화학식 1]상기 화학식 1에서, R내지 R는, R내지 R, a 내지 d는 각각 명세서에서 정의한 바와 같다.</p>
申请公布号 KR101556279(B1) 申请公布日期 2015.09.30
申请号 KR20120153562 申请日期 2012.12.26
申请人 发明人
分类号 G03F7/004;G03F7/11;G03F7/26 主分类号 G03F7/004
代理机构 代理人
主权项
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