半导体衬底、半导体装置、以及其制造方法

摘要

本公开涉及半导体衬底、半导体装置、以及其制造方法。本发明的半导体衬底在即使使用耐热温度低的支撑衬底如玻璃衬底等的情况下也可以防止杂质对半导体层造成污染，并提高支撑衬底和半导体层的键合强度。本发明还提供一种半导体装置，该半导体装置通过使用半导体层形成电场效应晶体管可以减少键合漏电流。本发明的半导体装置的制造方法包括：在半导体衬底的表面形成包含第一卤素的氧化膜；通过照射第二卤素的离子，在半导体衬底中形成分离层并将第二卤素包含在半导体衬底中；在夹着包含氢的绝缘膜地重叠半导体衬底和支撑衬底的状态下进行加热处理；以及通过在分离层中使半导体衬底的一部分分离，在支撑衬底上提供包含第二卤素的半导体层。

主权项

一种半导体衬底，包括：包含第一卤素的单晶半导体层；在所述单晶半导体层上的第一绝缘层，所述第一绝缘层包含第二卤素；在所述第一绝缘层上的第二绝缘层，所述第二绝缘层包括彼此堆叠的第一层和第二层；在所述第二绝缘层上的第三绝缘层，所述第三绝缘层包含氧化硅和氢；以及在所述第三绝缘层上的支撑衬底，所述支撑衬底以夹着所述第三绝缘层的方式键合到所述第二绝缘层，其中所述第一层在所述第一绝缘层上，并且包括氮氧化硅，其中所述第二层在所述第一层上，并且包括氧氮化硅，其中，包含在所述单晶半导体层中的所述第一卤素以其浓度朝向与所述单晶半导体层的所述支撑衬底一侧相对的面升高并且在所述面处最高的方式分布，并且其中所述第三绝缘层包含5×10¹⁹atoms/cm³至5×10²¹atoms/cm³的氢。