发明名称 碳纳米管发射体的制备方法
摘要 一种碳纳米管发射体的制备方法,包括以下步骤:提供一基底,该基底具有一第一表面;提供至少一碳纳米管结构,将该至少一碳纳米管结构设置于所述第一表面,所述至少一碳纳米管结构包括多个沿同一方向延伸的碳纳米管,该碳纳米管沿所述基底的第一表面延伸,所述至少一碳纳米管结构在所述碳纳米管延伸的方向上具有相对的第一端和第二端,将所述第一端固定于所述第一表面;用一刮压装置对所述至少一碳纳米管结构施加压力的同时,从所述第一端开始沿着所述碳纳米管的延伸方向刮动所述至少一碳纳米管结构,使所述至少一碳纳米管结构的至少第二端远离所述第一表面,得到至少一碳纳米管发射体。
申请公布号 CN103187219B 申请公布日期 2015.09.30
申请号 CN201110445058.3 申请日期 2011.12.27
申请人 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 发明人 柳鹏;范守善
分类号 H01J9/02(2006.01)I;H01J1/304(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;C01B31/00(2006.01)I 主分类号 H01J9/02(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种碳纳米管发射体的制备方法,包括以下步骤:提供一基底,该基底具有一第一表面;提供至少一碳纳米管结构,将该至少一碳纳米管结构设置于所述第一表面,所述至少一碳纳米管结构包括多个沿同一方向延伸的碳纳米管,该碳纳米管沿所述基底的第一表面延伸,所述至少一碳纳米管结构在所述碳纳米管延伸的方向上具有相对的第一端和第二端,将所述第一端固定于所述第一表面;以及用一刮压装置对所述至少一碳纳米管结构施加压力的同时,从所述第一端开始沿着所述碳纳米管的延伸方向刮动所述至少一碳纳米管结构,使所述至少一碳纳米管结构的至少第二端远离所述第一表面,得到至少一碳纳米管发射体。
地址 100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室