| 发明名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有伪栅极结构，在伪栅极结构的顶部形成有硬掩蔽层；采用原子层沉积工艺依次形成氧化物层和氮化硅层，覆盖半导体衬底、伪栅极结构和硬掩蔽层；蚀刻氮化硅层而形成偏移侧墙；在半导体衬底的将要形成源/漏区的部分中形成嵌入式外延层。根据本发明，形成嵌入式外延层后，可以避免偏移侧墙的高度的大幅减低，进而确保伪栅极结构的高度可以达到预设的要求，保证后续形成的高k-金属栅极的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104952798A | 申请公布日期 | 2015.09.30 |
| 申请号 | CN201410116344.9 | 申请日期 | 2014.03.26 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 丁士成 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有伪栅极结构，在所述伪栅极结构的顶部形成有硬掩蔽层；采用原子层沉积工艺依次形成氧化物层和氮化硅层，覆盖所述半导体衬底、所述伪栅极结构和所述硬掩蔽层；蚀刻所述氮化硅层而形成偏移侧墙；在所述半导体衬底的将要形成源/漏区的部分中形成嵌入式外延层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||