一种电流扩展层带有二维光学结构的反极性AlGaInP发光二极管

摘要

本发明提供一种电流扩展层带有二维光学结构的反极性AlGaInP发光二极管结构，由底部至顶部的结构依次为p面电极、衬底、键合层、反射镜层、绝缘层、带有二维光学结构的电流扩展层、p型半导体层、有源区、n型半导体层、窗口层、n面电极、n面焊盘；所述带有二维光学结构的电流扩展层与绝缘层接触一侧带有与n面电极垂直中心线正对的二维光学结构；所述二维光学结构的图形与n面电极的图形一致，且在n面电极正下方。本发明结构可以斩断LED内部的光学导模，有效提升LED芯片的光提取效率；由于电流扩展层上带有二维光学结构，且反射镜层有开孔，这些贯通芯片的空气通道可以有效提升LED芯片工作时的散热能力，提高器件的寿命与可靠性；易于与现有LED工艺相集成。

主权项

一种电流扩展层带有二维光学结构的反极性AlGaInP发光二极管结构，由底部至顶部的结构依次为p面电极、衬底、键合层、反射镜层、绝缘层、带有二维光学结构的电流扩展层、p型半导体层、有源区、n型半导体层、窗口层、n面电极、n面焊盘；所述带有二维光学结构的电流扩展层与绝缘层接触一侧带有与n面电极垂直中心线正对的二维光学结构；所述二维光学结构的图形与n面电极的图形一致，且在n面电极正下方。