一种发光二极管外延片及其制作方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体光电技术领域。该外延片包括衬底以及依次层叠在衬底上的低温缓冲层、三维成核层、二维缓冲恢复层、本征氮化镓层、n型层、多量子阱层、电子阻挡层、p型层以及p型接触层，p型层为超晶格结构，该超晶格结构由低温p型层和高温p型层交替层叠而成。通过生长一层低温p型层后再迅速生长一层高温p型层，高温p型层较高的温度可以对低温p型层的低温缺陷进行修复；生长一层高p型层后再迅速生长一层低温p型层，低温p型层较低的温度又可以防止高温p型层持续的高温破坏多量子阱层的活性；超晶格结构的p型层内的层与层之间形成势垒差异，有利于提高空穴的扩展效果。

主权项

一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、三维成核层、二维缓冲恢复层、本征氮化镓层、n型层、多量子阱层、电子阻挡层、p型层以及p型接触层，其特征在于，所述p型层为超晶格结构，所述超晶格结构由低温p型层和高温p型层交替层叠而成。