原子级器件的制造

摘要

本发明涉及纳米至原子级器件的制造，其中纳米至原子级器件是被制造为原子精度的电子器件。制造过程使用SEM或者STM针尖来图案化半导体衬底上的区域。然后，在那些区域形成所述器件的电活性部分。封装所形成的器件。使用SEM或者光学显微镜对封装半导体的表面上的导电元件与所述器件的被封装在所述表面下的各个活性部分的位置进行对准。在所述表面上的对准后的位置处形成导电元件。并且，将所述表面上的导电元件与所述器件的被封装在所述表面下的对准后的部分电连接，以允许所述器件的电连接性和可调性。另一方面，本发明涉及这些器件本身。

主权项

一种用于制造原子级多端子电子器件的方法，包括以下步骤：使用原子精确度的扫描隧道显微镜针尖或者微纳米精确度的扫描电子显微镜打开半导体表面上掩膜的一个或多个区域；处理所述一个或多个区域以在所述半导体表面上形成所述器件的共面的组件；使用更多的半导体封装所述器件的所述共面的组件；使用光学显微镜或电子显微镜对被封装器件进行成像，以识别被封装器件的表面上的位置，所述位置在所述器件的被封装在所述表面下的所选组件之上；在所识别的位置处所述被封装器件的表面上形成导电元件；以及将所述被封装器件的表面上的导电元件与所述器件的被封装在所述表面下的对准后的组件电连接。