| 发明名称 | 一种形成肖特基二极管的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体领域，特别涉及一种形成肖特基二极管方法，包括以下步骤：a）提供第一导电类型第一半导体层；b）于第一半导体层中形成第二导电类型保护环，以及多个相互间隔且位于保护环内第二导电类型掩埋区；c)于第一导电类型第一半导体层中形成多个相互间隔的沟槽，所述沟槽位于所述掩埋区之上，单个沟槽的纵截面宽度等于或大于单个掩埋区纵截面宽度；d)于第一导电类型第一半导体层之上和沟槽中形成金属层；e)于金属层上和第一导电类型第一半导体层的背面形成金属电极。本发明肖特基二极管工艺成本和难度低，且导通压降小。 | ||
| 申请公布号 | CN103094100B | 申请公布日期 | 2015.09.30 |
| 申请号 | CN201110332623.5 | 申请日期 | 2011.10.28 |
| 申请人 | 比亚迪股份有限公司 | 发明人 | 曾爱平;张兴来;陈朝伟;李春霞;陈宇 |
| 分类号 | H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/329(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种形成肖特基二极管的方法，其特征在于，包括以下步骤：a）提供第一导电类型第一半导体层；b）于第一半导体层中形成第二导电类型保护环,以及多个相互间隔且位于保护环内的第二导电类型掩埋区；c)于第一导电类型第一半导体层中形成多个相互间隔的沟槽，所述沟槽位于所述掩埋区之上，单个沟槽的纵截面宽度等于或大于单个掩埋区纵截面宽度；d)于第一导电类型第一半导体层之上和沟槽中形成金属层；e)于金属层上和第一导电类型第一半导体层的背面形成金属电极。 | ||
| 地址 | 518118 广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号 | ||