用于在穿孔中选择性沉积钨的系统和方法

摘要

一种用于处理基板的方法，其包括：提供基板，该基板包括金属层、设置在金属层上的介电层、以及形成在该介电层中的穿孔和沟槽中的至少一种；在第一沉积周期内，使用化学气相沉积法（CVD）沉积金属，其中第一沉积周期比金属沉积在金属层所需要的第一核化周期要长；在第二核化延迟周期前，停止第一沉积周期，其中第二核化周期为金属沉积在介电层上所必须的；执行沉积以及停止步骤N次，其中N为大于或等于1的整数；在执行步骤后，在比第二核化延迟周期长的第二沉积周期内，使用CVD沉积该金属。

主权项

一种处理基板的方法，其包括：提供基板，该基板包括金属层、设置在该金属层上的介电层、以及形成在该介电层中的穿孔和沟槽中的至少一种；在第一沉积周期内，使用化学气相沉积(CVD)沉积金属，其中该第一沉积周期要长于该金属沉积于该金属层之上所必须的第一核化延迟周期；在第二核化延迟周期前，停止该第一沉积周期，其中该第二核化延迟周期为该金属沉积于该介电层之上所必须的；执行生长中断处理，从而中断该金属在该介电层上的生长；执行该沉积与该停止N次，其中N是大于或等于1的整数；以及在该执行之后，在长于该第二核化延迟周期的第二沉积周期内，使用CVD来沉积该金属。