| 主权项 |
一种第III族氮化物半导体发光器件，包括：导电支承体；设置在所述支承体上的p型电极；设置在所述p型电极上的半导体层，所述半导体层至少包括从所述p型电极起按以下顺序设置的p型层、发光层以及n型层，所述p型层、所述发光层以及所述n型层中的每一层均由第III族氮化物半导体形成；以及设置在所述n型层上的n型电极；器件隔离沟槽，所述器件隔离沟槽沿着所述半导体层的外周形成并且为所述半导体层提供台面形状；以及连续地设置在第一区域至第三区域上的绝缘膜，所述第一区域为所述n型层的外周区域，所述第二区域为所述沟槽的侧表面，以及所述第三区域为所述器件隔离沟槽的底表面，其中所述n型电极包括待连接接合线的焊垫部；接触部，所述接触部设置在距所述焊垫部一定距离处并且部分地或完全地设置在所述n型层上，以及外周导线线状部，所述外周导线线状部形成为完全符合外周轮廓的框形，从而将所述焊垫部与所述接触部相连接，以及其中在所述外周导线线状部的纵向方向的全部长度上，所述外周导线线状部的所述框形的宽度的一部分设置在所述绝缘膜的第一区域、第二区域和第三区域的全部区域上，并且所述外周导线线状部的所述框形的宽度的剩余部分设置于所述n型层上。 |
