一种快速制备AgInSe₂基热电材料的新方法

摘要

本发明公开了一种快速制备AgInSe₂基热电材料的新方法，包括以下步骤：1)按化学式Ag_1-xZn_xInSe₂中各元素的化学计量比称取Ag粉、Zn粉、In粉和Se粉作为原料，其中0≤x≤0.1，然后将原料粉末研磨混合均匀，并压制成块状坯体；2)将步骤1)所得块状坯体引发高温自蔓延合成反应，反应完成后自然冷却；3)将步骤2)所得产物研磨成粉末，然后进行放电等离子体活化烧结，得单相的AgInSe₂基热电材料块体。本发明具有反应速度快、工艺简单、成本低、高效节能和重复性好等优点，整个制备过程可在15min之内完成，所得块体的热电优值ZT在820K可达0.23。

主权项

一种快速制备AgInSe₂基热电材料的新方法，其特征在于，包括以下步骤：1)按化学式Ag_1‑xZn_xInSe₂中各元素的化学计量比进行称取Ag粉、Zn粉、In粉、Se粉作为原料，其中0≤x≤0.1，然后将原料粉末研磨混合均匀，将混合均匀的粉末压制成块状坯体；2)将步骤1)所得块状坯体引发高温自蔓延合成反应，反应完成后自然冷却；3)将步骤2)所得产物研磨成粉末，进行放电等离子体活化烧结，得单相的AgInSe₂基热电材料。