半导体器件及其形成方法

摘要

本发明提供了半导体器件及其形成方法。半导体器件包括位于鳍的沟道部分上方的栅极。鳍包括具有第一有源区顶面的鳍的第一有源区和具有第二有源区顶面的鳍的第二有源区，其中，第一有源区顶面与浅沟槽隔离(STI)的第一STI部分的第一STI顶面共平面，并且第二有源区顶面与STI的第二STI部分的第二STI顶面共平面。在器件形成过程中，本发明的方法不需使鳍、第一STI部分或第二STI部分中的至少一个凹进。与需要使鳍、第一STI部分或第二STI部分中的至少一个凹进的半导体器件形成方法相比，不需使鳍、第一STI部分或第二STI部分中的至少一个凹进改进了半导体器件的形成方法并使该形成方法更有效率。

主权项

一种形成半导体器件的方法，包括：在伪栅极上方、鳍的第一有源区上方和围绕所述第一有源区的第一浅沟槽隔离(STI)部分上方形成介电层，所述伪栅极位于所述鳍的沟道部分上方并且位于围绕所述鳍的沟道部分的所述STI的栅极部分上方，其中，所述第一有源区的第一有源区顶面与所述第一STI部分的第一STI顶面共平面；去除所述伪栅极，从而暴露所述鳍的沟道部分的沟道顶面，并且从而暴露所述STI的栅极部分；去除所述STI的栅极部分，从而暴露所述鳍的沟道部分的沟道侧壁；以及在所述沟道顶面上方和邻近所述鳍的沟道部分的所述沟道侧壁处形成栅极，从而使所述第一有源区的第一有源区顶面与所述第一STI部分的第一STI顶面保持共平面。