3维结构的非易失性存储器与存储单元结构及其制造方法

摘要

一种3维结构的非易失性存储器与存储单元结构及其制造方法，该存储单元结构的制造方法包括：于第一金属层上方形成第一介电层；于第一介电层中形成第一穿透洞，且第一穿透洞底部残留部分第一介电层；于第一穿透洞内表面形成于第一障壁层；形成第二金属层填充于第一穿透洞；于第二金属层与第一介电层上方形成第二介电层；于第二介电层中形成第二穿透洞，且第二穿透洞底部残留部分第二介电层，其中第二穿透洞位于第二金属层上方；于第二穿透洞内表面形成于第二障壁层；形成第三金属层填充于第二穿透洞；以及结合第一穿透洞底部残留的第一介电层与第一障壁层以形成第一过渡层，以及结合第二穿透洞底部残留的第二介电层与第二障壁层以形成第二过渡层。

主权项

一种非易失性存储器的存储单元结构，包括：一第一金属层；一第一介电层，形成于该第一金属层上方，其中，该第一介电层中具有一第一穿透洞；一第一过渡层，形成于该第一穿透洞底部与该第一金属层之间；一第二金属层，形成于该第一穿透洞内并接触于该第一过渡层；一第二介电层，形成于该第二金属层与该第一介电层上方，其中，该第二介电层中具有一第二穿透洞；一第二过渡层，形成于该第二穿透洞底部与该第二金属层之间；以及一第三金属层，形成于该第二穿透洞内并接触于该第二过渡层。