一种GaN基白光LED外延结构的制备方法

摘要

一种GaN基白光LED外延结构的制备方法，包括以下步骤：使用氢化物气相外延在稀土元素掺杂YAG陶瓷或单晶衬底上制备单晶或多晶氮化铝缓冲层；使用金属有机化学气相沉积在所述单晶或多晶氮化铝缓冲层上生长GaN基LED外延结构，其中，GaN基LED外延结构自下而上依次为低温GaN缓冲层、高温GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源区，AlGaN电子阻挡层、P型GaN层和高掺杂P型或者高掺杂N型电极接触层。本发明制备的GaN基白光LED外延结构可以非常精确地控制荧光材料的掺杂、厚度和质量等光学特型和物理特性，实现重复率非常高、均匀度非常好的荧光材料集成，并解决传统荧光粉涂覆过程中同一晶圆上不同位置以及不同晶圆之间由于加工工艺造成的不可避免的荧光粉含量不均匀的问题。

主权项

一种GaN基白光LED外延结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：使用氢化物气相外延在稀土元素掺杂YAG陶瓷或单晶衬底上制备单晶或多晶氮化铝缓冲层；使用金属有机化学气相沉积在所述单晶或多晶氮化铝缓冲层上生长GaN基LED外延结构，其中，GaN基LED外延结构自下而上依次为低温GaN缓冲层、高温GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源区，AlGaN电子阻挡层、P型GaN层和高掺杂P型或者高掺杂N型电极接触层。