| 发明名称 | 绝缘层覆硅结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭露一种绝缘层覆硅结构及其制备方法。绝缘层覆硅结构包含一底层，一绝缘层，一主动层与一阻隔层。绝缘层位于底层上，而主动层嵌于绝缘层中。阻隔层则位于绝缘层中并环绕主动层。 | ||
| 申请公布号 | CN104952886A | 申请公布日期 | 2015.09.30 |
| 申请号 | CN201510325062.4 | 申请日期 | 2015.06.12 |
| 申请人 | 宁波时代全芯科技有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司 | 发明人 | 吴孝哲 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 徐金国 |
| 主权项 | 一种绝缘层覆硅结构，其特征在于，包含：一底层；一绝缘层位于该底层上；一主动层嵌于该绝缘层中；以及一阻隔层位于该绝缘层中并环绕该主动层。 | ||
| 地址 | 315195 浙江省宁波市鄞州工业园区(鄞州区姜山镇新张俞村) | ||