半导体器件及分压器

摘要

本申请涉及一种半导体器件及分压器，所述半导体器件包括第一和第二电阻器（R1、R2）。所述第一电阻器形成在第一衬底区（31）中并耦接在第一节点（21）与输出节点（N1）之间。所述第二电阻器形成在第二衬底区（32）中并耦接在所述输出节点（N1）与第二节点（22）之间。所述第一衬底区（31）耦接至具有第一电压（Vin）的所述第一节点（21）。所述第二节点具有第二电压（Vs）。所述第二衬底区（32）耦接至设置于所述第一电阻器中的分压节点（Nd）。本申请的半导体器件抑制了多个电阻器中的电阻值变化率差异。

主权项

一种半导体器件，包括：第一电阻器，形成在第一衬底区中并耦接在第一节点与输出节点之间；第二电阻器，形成在第二衬底区中并耦接在所述输出节点与第二节点之间，其中所述第一衬底区接收经过所述第一节点的第一电压，所述第二节点接收经过所述第二节点的第二电压，并且所述第二衬底区经过导线踪迹连接至所述第一电阻器；多个分压节点，设置在所述第一电阻器中以生成多个分压；以及选择器，配置以将所述多个分压节点中的一个分压节点耦接至所述第二衬底区。