发明名称 三塩化ガリウムガスの製造方法及び窒化物半導体結晶の製造方法
摘要 <p>According to the invention, there is provided a method for producing a gallium trichloride gas, the method including: a first step of reacting a metallic gallium and a chlorine gas to produce a gallium monochloride gas; and a second step of reacting the produced gallium monochloride gas and a chlorine gas to produce a gallium trichloride gas.</p>
申请公布号 JP5787324(B2) 申请公布日期 2015.09.30
申请号 JP20120514826 申请日期 2011.05.11
申请人 发明人
分类号 C30B29/38;C01G15/00 主分类号 C30B29/38
代理机构 代理人
主权项
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