发明名称 |
低相位噪声压控振荡器 |
摘要 |
本发明公开了一种低相位噪声压控振荡器,包括负阻电路模块、差分耦合电感电容谐振腔和源级反馈电感。耦合电感电容谐振腔用以提高谐振腔的有效品质因数,源级反馈电感与谐振腔电感之间的磁耦合作为反馈以增加谐振腔输出信号的振幅,负阻电路模块采用电流复用结构以降低功耗并去除共模节点的二次谐波对相位噪声的恶化。本发明低相位噪声压控振荡器可有效降低相位噪声。 |
申请公布号 |
CN103095217B |
申请公布日期 |
2015.09.30 |
申请号 |
CN201310015875.4 |
申请日期 |
2013.01.16 |
申请人 |
东南大学 |
发明人 |
樊祥宁;李斌;王加锋;施晓阳;王志功 |
分类号 |
H03B5/32(2006.01)I;H03B5/04(2006.01)I |
主分类号 |
H03B5/32(2006.01)I |
代理机构 |
南京天翼专利代理有限责任公司 32112 |
代理人 |
汤志武 |
主权项 |
一种低相位噪声压控振荡器,其特征是:包括负阻电路模块、差分耦合电感电容谐振腔,其中:负阻电路模块包括PMOS管M<sub>p</sub>、NMOS管M<sub>n</sub>、两个电感值相等的源级反馈电感L<sub>s1</sub>和L<sub>s2</sub>;电源VDD串联源级反馈电感L<sub>s1</sub>后连接PMOS管M<sub>p</sub>的源极,NMOS管M<sub>n</sub>的源极串联源级反馈电感L<sub>s2</sub>后接地,PMOS管M<sub>p</sub>的栅极连接NMOS管M<sub>n</sub>的漏极作为输出端V<sub>p</sub>,NMOS管M<sub>n</sub>的栅极连接PMOS管M<sub>p</sub>的漏极作为输出端V<sub>n</sub>;差分耦合电感电容谐振腔包括差分电感L<sub>d</sub>和差分电感L<sub>c</sub>以及两个可变电容C<sub>v</sub>;差分电感L<sub>d</sub>由电感L<sub>d1</sub>与电感L<sub>d2</sub>串联组成,且电感L<sub>d1</sub>与电感L<sub>d2</sub>的电感值相等,电感L<sub>d1</sub>与电感L<sub>d2</sub>未连接在一起的一端分别与负阻电路模块输出端V<sub>p</sub>与输出端V<sub>n</sub>连接;差分电感L<sub>c</sub>由电感L<sub>c1</sub>与电感L<sub>c2</sub>串联组成,且电感L<sub>c1</sub>与电感L<sub>c2</sub>的电感值相等,电感L<sub>c1</sub>与电感L<sub>c2</sub>对接端与直流偏置电压V<sub>b</sub>相连;两个可变电容C<sub>v</sub>背靠背对接,对接端与模拟调谐电压V<sub>ctrl</sub>相连,两个可变电容C<sub>v</sub>未连接在一起的一端分别与电感L<sub>c1</sub>与电感L<sub>c2</sub>未连接在一起的一端连接。 |
地址 |
210096 江苏省南京市四牌楼2号 |