| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件包括：层间电介质，其被层叠且彼此间隔开；沟道层，其穿通层间电介质；线图案区，每个线图案区包围沟道层的侧壁以设置在层间电介质之间；阻挡图案，其沿着每个线图案区的表面和沟道层的侧壁形成；防反应图案，其沿着每个线图案区的第一区的表面形成在阻挡图案上，第一区与沟道层相邻；保护图案，其在防反应图案上填充在第一区中；以及第一金属层，其填充在每个线图案区的第二区中。 | ||
| 申请公布号 | CN104952873A | 申请公布日期 | 2015.09.30 |
| 申请号 | CN201410446019.9 | 申请日期 | 2014.09.03 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 玄灿顺;安明圭;权虞埈 |
| 分类号 | H01L27/11(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/8244(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/11(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;周晓雨 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：层间电介质，其被层叠且彼此间隔开；沟道层，其穿通所述层间电介质；线图案区，每个线图案区包围所述沟道层的侧壁，以被设置在所述层间电介质之间；阻挡图案，其沿着每个线图案区的表面和所述沟道层的侧壁形成；防反应图案，其沿着每个线图案区的第一区的表面形成在所述阻挡图案上，所述第一区与所述沟道层相邻；保护图案，其在所述防反应图案上填充在所述第一区中；以及第一金属层，其填充在每个线图案区的第二区中。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||