多晶硅镀膜异常硅片表面的处理方法

摘要

本发明涉及一种将晶硅太阳能电池异常镀膜后的硅片表面氮化硅膜去除的方法，该方法包括氢氟酸去膜和混酸处理两个步骤，本发明处理方法使得经过处理的硅片表面氮化硅膜完全去除干净，硅片表面不会有残留物，对于硅片的绒面损伤很小，方便硅片的再一次制绒，保证生产流程的顺利进行等优点。

主权项

一种多晶硅镀膜异常硅片表面的处理方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：①、氢氟酸去膜：在酸处理槽中加入130升电阻率为18兆欧的纯水，然后加入24升浓度为49%的电子级氢氟酸，在常温下将待处理的异常镀膜片浸入该槽溶液中反应15分钟，待反应结束后放入漂洗槽中漂洗，经甩干后后得到处理后的多晶硅片待用；②、混酸处理：在湿刻机酸处理槽中加入90升电阻率为18兆欧的纯水，然后加入30升浓度为49%的电子级氢氟酸和175升浓度为70%的电子级硝酸，在传动速度为0.55m/min，温度4℃的条件下，将步骤①处理后的多晶硅片膜面向下，逐一摆放到滚轮上，下表面与混和酸液体相互接触，进行去膜处理，反应时间为4分钟。