一种高阶F类功率放大电路及射频功率放大器

摘要

本发明适用于射频通信领域，提供了一种高阶F类功率放大电路及射频功率放大器，该电路包括：晶体管；寄生参数调节单元，用于调节晶体管寄生参数对于F类功放的影响；高次谐波阻抗控制单元，与寄生参数调节单元连接，用于对晶体管的二次谐波至五次谐波分别独立控制阻抗匹配；基波阻抗控制单元，连接于高次谐波阻抗控制单元与电容C1之间，用于对晶体管的基波独立控制阻抗匹配，电容C1还与负载连接。本发明通过高次谐波阻抗控制单元实现了F类功率放大器的最高至五次谐波阻抗的精确控制，降低晶体管的能量损耗，提升功放效率，并且对各次谐波阻抗独立设计，使各次谐波阻抗控制电路互不影响，无需后期优化调试，降低了设计的复杂度。

主权项

一种高阶F类功率放大电路，其特征在于，所述功率放大电路包括：晶体管，及寄生参数调节单元，用于调节晶体管寄生参数对于F类功率放大器的影响，所述寄生参数调节单元的输入端与所述晶体管的功率信号输出端连接，所述晶体管的功率信号输入端为所述高阶F类功率放大电路的输入端；高次谐波阻抗控制单元，用于对晶体管电流输入端的二次谐波至五次谐波分别独立控制阻抗匹配，所述高次谐波阻抗控制单元的输入端与所述寄生参数调节单元的输出端连接；基波阻抗控制单元，用于对晶体管输入端的基波独立控制阻抗匹配，所述基波阻抗控制单元的输入端与所述高次谐波阻抗控制单元的输出端连接，所述基波阻抗控制单元的输出端与电容C1的一端连接，所述电容C1的另一端与负载连接。