| 发明名称 | 超薄大翘曲晶片的激光退火装置 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种超薄大翘曲晶片的激光退火装置，包括箱体(10)，所述箱体(10)内设置有退火腔室(11)，垂直固定于所述箱体(10)用于在所述退火腔室(11)内发射激光能量的激光器(20)，所述退火腔室(11)的底部移动设置有工件台(50)，位于所述退火腔室(11)顶部的箱体(10)上吊装固定设置有用于吸附晶片(80)的伯努利真空吸附装置(40)。本实用新型能够完成超薄大翘曲晶片自动传输，实现激光退火装置内机械手与工件台微孔吸盘的无E-pin交接，解决了传统晶片下表面因E-pin吸附造成的面温度差异，使晶片均匀退火。 | ||
| 申请公布号 | CN204680654U | 申请公布日期 | 2015.09.30 |
| 申请号 | CN201520341638.1 | 申请日期 | 2015.05.24 |
| 申请人 | 上海微电子装备有限公司 | 发明人 | 李志丹;周炯;佟志国 |
| 分类号 | H01L21/67(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/67(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种超薄大翘曲晶片的激光退火装置，包括箱体(10)，所述箱体(10)内设置有退火腔室(11)，垂直固定于所述箱体(10)用于在所述退火腔室(11)内发射激光能量的激光器(20)，所述退火腔室(11)的底部移动设置有工件台(50)，其特征在于，位于所述退火腔室(11)顶部的箱体(10)上吊装固定设置有用于吸附晶片(80)的伯努利真空吸附装置(40)。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张东路1525号 | ||