发明名称 | 集成微透镜阵列的背照式紫外焦平面探测器 | ||
摘要 | 本专利公开了一种集成微透镜阵列的背照式紫外焦平面探测器。背照式紫外焦平面探测器由以下几个部分组成:紫外光敏元阵列芯片、读出电路、混成互连铟柱、微透镜阵列。微透镜阵列在紫外光敏元阵列芯片的宝石片衬底上采用光刻胶光刻、高温成型、等离子体刻蚀等步骤加工形成。本专利的优点是:集成微透镜阵列之后,紫外光敏元的面积可以大幅度减少,从而使紫外光敏元具有高的零偏压动态电阻R<sub>0</sub>和小的结电容,从而有利于减小读出电路的噪声以及提高紫外探测器的探测率。 | ||
申请公布号 | CN204680670U | 申请公布日期 | 2015.09.30 |
申请号 | CN201520371925.7 | 申请日期 | 2015.06.02 |
申请人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明人 | 刘向阳;王玲;张燕;刘诗嘉;许金通;李向阳 |
分类号 | H01L27/144(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/144(2006.01)I |
代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 郭英 |
主权项 | 一种集成微透镜阵列的背照式紫外焦平面探测器,包括紫外光敏元阵列芯片(1)、读出电路(2)、混成互连铟柱(3)、微透镜阵列(4),宝石片衬底(5),其特征是:紫外光敏元阵列芯片(1)通过混成互连铟柱(3)和读出电路(2)连接,微透镜阵列(4)集成在紫外光敏元阵列芯片(1)的宝石片衬底(5)上的紫外辐照入射面上;所述的紫外光敏元是pn结二极管、p‑i‑n结二极管、肖特基结二极管、多量子阱二极管或雪崩二极管。 | ||
地址 | 200083 上海市虹口区玉田路500号 |