半导体发光装置

摘要

本发明提供一种可提高向设有电极侧的相反侧的光提取效率的半导体发光装置。一实施方式的半导体发光装置在半导体层的第1侧、以及设于半导体层的侧面的第2绝缘膜上设有对发光层的放射光具有透过性的光学层。在半导体层的第1侧设有多个凸部与多个凹部，且凸部的顶部比光学层的界面更接近半导体层的与所述第1侧为相反侧的第2侧。

主权项

一种半导体发光装置，其特征在于包括：半导体层，具有第1侧、与所述第1侧为相反侧的第2侧、以及侧面，且包含发光层；第1电极，设于所述第2侧；第2电极，设于所述第2侧；第1绝缘膜，设于所述第2侧；第1布线部，设于所述第1绝缘膜上且连接于所述第1电极；第2布线部，设于所述第1绝缘膜上且连接于所述第2电极；第2绝缘膜，设于所述第1布线部与所述第2布线部之间、以及所述侧面；以及光学层，设于所述第1侧及于所述侧面设置的所述第2绝缘膜上，且对所述发光层的放射光具有透过性；且在所述第1侧设有多个凸部与多个凹部，所述凸部的顶部比所述光学层的界面更接近所述第2侧。