发明名称 一种铜基硫族固溶体薄膜的制备方法
摘要 本发明提供一种铜基硫族固溶体薄膜的制备方法,包括以下步骤:将含有铜及其它金属预制层沉积到衬底上,将任意比例的硫和硒放入容器中,将容器抽真空后冲入保护气体并密封,将容器进行热处理,固溶体即形成。本发明通过控制硫、硒的比例可以精确地调节薄膜材料中硫、硒的比例。
申请公布号 CN104947034A 申请公布日期 2015.09.30
申请号 CN201410119919.2 申请日期 2014.03.27
申请人 向勇 发明人 张海涛;张晓琨;向勇
分类号 C23C8/72(2006.01)I;C23C30/00(2006.01)I 主分类号 C23C8/72(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种铜基硫族固溶体薄膜的制备方法,具体包括以下步骤: a,提供一个衬底; b,将含有铜及其它金属的预制层沉积到衬底上成为前驱体; c,将前驱体放入耐高温容器; d,将一定比例的硫和硒放入容器中; e,将容器抽真空后充入保护气体并密封; f,进行热处理,此过程中固溶体即形成。 
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