半导体发光器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括包含氮化物半导体的n型半导体层、包含氮化物半导体的p型半导体层、发光部以及层叠体。所述发光部被设置在所述n型半导体层与所述p型半导体层之间并包括势垒层和阱层。所述阱层与所述势垒层层叠。所述层叠体被设置在所述发光部与所述n型半导体层之间并包括第一层和第二层。所述第二层与所述第一层层叠。所述层叠体的平均In组成比高于所述发光部的平均In组成比的0.4倍。所述势垒层的层厚度t_b为10nm或更小。

主权项

一种半导体发光器件，包括：n型半导体层，其包含氮化物半导体；p型半导体层，其包含氮化物半导体；发光部，其被设置在所述n型半导体层与所述p型半导体层之间并包括：势垒层，其包含In_bGa_1‑bN并具有层厚度t_b纳米，其中0≤b＜1；以及阱层，其与所述势垒层层叠，包含In_wGa_1‑wN并具有层厚度t_w纳米，其中0＜w＜1，b＜w；以及层叠体，其被设置在所述发光部与所述n型半导体层之间并包括：第一层，其包含In_xGa_1‑xN并具有层厚度t_x纳米，其中0≤x＜1；以及第二层，其与所述第一层层叠，包含In_yGa_1‑yN并具有层厚度t_y纳米，其中0＜y＜1，x＜y＜w，所述层叠体的平均In组成比高于所述发光部的平均In组成比的0.4倍且不高于所述发光部的平均In组成比的0.63倍，假设所述发光部的所述平均In组成比为从任一对的所述势垒层和所述阱层确定的(w×t_w+b×t_b)/(t_w+t_b)，所述层叠体的所述平均In组成比为从任一对的所述第一层和所述第二层确定的(x×t_x+y×t_y)/(t_x+t_y)，并且所述势垒层的所述层厚度t_b为10nm或更小。