| 发明名称 | 一种利用非对称分层势垒提高SONNS结构器件可靠性的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种利用非对称分层势垒提高SONNS结构器件可靠性的方法，其中，包括以下步骤：S1：提供一P型衬底；S2：在所述衬底上制作一层隧穿氮化硅层和一层等电学厚度的隧穿氧化层；S3：在所述隧穿氧化层的表面制作一层存储氮化硅层；S4：在所述存储氮化硅层上制作一层阻挡氧化层；S5：在所述阻挡氧化层上制作多晶硅。本发明的目的是一种利用非对称分层势垒提高SONNS结构器件可靠性的方法，具有较高的电荷保持能力，并且能够在编译和擦除的循环中可以防止擦状态的空穴进入界面的态，使器件的耐久能力提高。 | ||
| 申请公布号 | CN102769019B | 申请公布日期 | 2015.09.30 |
| 申请号 | CN201210225804.2 | 申请日期 | 2012.07.03 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 田志 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 王敏杰 |
| 主权项 | 一种利用非对称分层势垒提高SONNS结构器件可靠性的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供一P型衬底；S2：在所述衬底上制作一层隧穿氮化硅层和一层等电学厚度的隧穿氧化层；S3：在所述隧穿氧化层的表面制作一层存储氮化硅层；S4：在所述存储氮化硅层上制作一层阻挡氧化层；S5：在所述阻挡氧化层上制作多晶硅；其中，所述隧穿氧化层为二氧化硅层，所述二氧化硅层的厚度为1.2～1.5nm，所述隧穿氮化硅层厚度为2～3nm。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||