| 发明名称 | 光刻装置及其光刻方法 | ||
| 摘要 | 一种光刻装置，包括：产生曝光光束的光源；用于调整所述光源发出的光束的照明装置；用于承载掩模的掩模台；用于对掩模图案进行成像的成像光学系统；用于承载硅片的工件台；和，用于对硅片标记及掩模标记进行对准的机器视觉对准系统；其中，所述机器视觉对准系统具有照明系统、视觉成像系统和用于采集硅片标记或掩模标记所成的像的探测器，所述探测器具有第一探测单元和第二探测单元，所述第一探测单元比所述第二探测单元的捕获范围大、探测精度低。 | ||
| 申请公布号 | CN103163742B | 申请公布日期 | 2015.09.30 |
| 申请号 | CN201110416901.5 | 申请日期 | 2011.12.14 |
| 申请人 | 上海微电子装备有限公司 | 发明人 | 李术新;孙刚;段立峰 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I;G03F9/00(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人 | 王光辉 |
| 主权项 | 一种光刻装置，包括：产生曝光光束的光源；用于调整所述光源发出的光束的照明装置；用于承载掩模的掩模台；用于对掩模图案进行成像的成像光学系统；用于承载硅片的工件台；和，用于对硅片标记及掩模标记进行对准的机器视觉对准系统；其中，所述机器视觉对准系统具有照明系统、视觉成像系统和用于采集硅片标记或掩模标记所成的像的探测器，所述探测器具有第一探测单元和第二探测单元，所述第一探测单元比所述第二探测单元的捕获范围大、探测精度低，根据所述第一探测单元的图像信息移动所述掩模台和工件台，根据所述第二探测单元的图像信息，计算掩模标记相对掩模台和硅片标记相对工件台的位置，从而使得所述掩模与硅片精确定位。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区张东路1525号 | ||