化合物半导体器件及其制造方法

摘要

栅电极形成为将电极材料包埋在用于电极的凹陷中，所述凹陷通过栅极绝缘膜形成在堆叠化合物半导体结构中，并且也通过将电极材料包埋在用于电极的凹陷中来形成与堆叠化合物半导体结构肖特基接触的场板电极，所述凹陷已经形成在堆叠化合物半导体结构中使得场板电极至少在用于电极的凹陷的底面上与堆叠化合物半导体结构直接接触。

主权项

一种化合物半导体器件，包括：其中形成有第一凹陷和第二凹陷、以及形成有电子传输层、电子供给层和作为顶层的盖层的堆叠化合物半导体结构；通过栅极绝缘膜在所述第一凹陷中形成的栅电极；和形成在所述第二凹陷中并且与所述堆叠化合物半导体结构肖特基接触的场板电极，其中所述第二凹陷只在所述盖层中形成，其中所述栅极绝缘膜在所述堆叠化合物半导体结构的除所述第二凹陷之外的整个表面上形成。