一种镍硅化物的优化方法

摘要

本发明公开了一种镍硅化物的优化方法，将形成镍硅化物时的传统两次退火优化为三次退火工艺，通过在第一次退火时消耗掉部分厚度的NiPt层，并在第一、二次退火之间进行离子注入Pt，从而改变了Pt在NiPt中的分布及含量，使得NiPt中的Pt远离基底硅，可在第一、二次退火时都形成Ni₂Si，避免了因传统的富硅环境而形成高电阻的NiSi₂，增强了最终形成的NiSi的稳定性。

主权项

一种镍硅化物的优化方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一形成有NMOS和PMOS的半导体衬底，沉积一SiN层作为金属硅化物阻挡层，并选择性地去除需要形成金属硅化物区域的SiN；步骤S02：依次沉积一第一NiPt层和第一TiN层；步骤S03：进行第一次退火，消耗掉部分厚度的第一NiPt层，在需要形成金属硅化物的区域形成第一镍硅化物；步骤S04：向第一TiN层和第一NiPt层进行Pt的离子注入，形成第二TiN层和第二NiPt层；步骤S05：进行第二次退火，在需要形成金属硅化物的区域继续形成第一镍硅化物；步骤S06：去除第二TiN层、没有反应的第二NiPt层以及SiN层，然后，进行第三次退火，在需要形成金属硅化物的区域形成第二镍硅化物。